近期，美光宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽内存解决方案；三星发布首款 36GB HBM3E 12HDRAM， 目前为三星容量最大的 HBM；SK 海力士于 1 月中旬正式结束了 HBM3E 的开发工作，并顺利完成英伟 达历时半年的性能评估，计划于 3 月开始大规模生产 HBM3E 产品，这批 HBM3E 将用于英伟达下一代 Blackwell 系列的 AI 芯片旗舰产品 B100 上，而英伟达则计划于 2024 年第二季度末或第三季度初推出 该系列产品。同时，武汉新芯近日就 HBM 封装技术招标，拟实现月产能超过 3000 片 12 英寸晶圆。面 对海外大厂对于 HBM3E 的量产，国内存储厂商也在 HBM 技术上进行着加速突破，有望在 AI 大浪潮 的需求下提升竞争实力，相关产业链或将受益。

　　围绕 HBM，下面我们从其基本概念入手，了解其优势及持续迭代更新在性能上的提升情况，并对该行 业制造工艺、发展现状及竞争格局进行分析，并对市场前景进行测算，方便读者深入了解这一行业。

　　HBM（High Bandwidth Memory）意为高带宽存储器，是一种面向需要极高吞吐量的数据密集型应用 程序的 DRAM，HBM 的作用类似于数据的“中转站”，就是将使用的每一帧，每一幅图像等图像数据保 存到帧缓存区中，等待 GPU 调用。

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